最近,西安电子科技大学微电子研究所学者郝悦的研究团队在该渠道的金属氧化物半导体负电容和场效应晶体管研究领域取得了进展。MOSFET)。这是第一次通过实验系统地验证电路板,电气MOSFET器件的负电容效应,以及低于器件电流和阈值的振荡的负电容效应。
研究结果包含在2016年在美国旧金山举行的IEEE国际电子设备大会(IEDM)上。UU
IEDM昊悦科研团队宣布的西安电子科技大学先进微电子器件研究正逐步走向世界。
新型CMOS微纳器件的研究主题由20多名研究生组成,其中包括学术昊悦团队的韩根权教授和博士周学仁博士。
最近,该研究小组一直在研究基于负铁氧体氧化锆(HfZrOx)和铁电材料的基于高迁移率的负电容MOSFET器件。
通过在通道的电场中使用负电容效应,预计会破坏低于传统MOSFET器件阈值60 mV / decade以上的室温振荡的物理极限并增加器件电流。低于具有负铋和锑电容器的器件的最小阈值的振荡达到21mV /十倍并且达到比传统器件更高的工作电流。
已经观察到,反转层电容的显着增加是由电容对器件测试的电容 - 电压曲线的不利影响引起的。加州大学伯克利分校IEDM2016研究人员报告的相关理论证明与西安研究的实验结果非常吻合。
会议的报告和文件引起了加州大学伯克利分校,东京大学和台湾国立大学研究组的关注,并进行了深入的讨论。
后摩尔时代的新装置技术是近年来昊悦及其团队正在推动的研究方向。
随着CMOS技术部门的逐渐减少,后摩尔时代的新器件将影响和决定微电子器件技术和集成电路产业的未来发展。
由韩根权教授和周九仁教授共同开发的关于负电容和锑MOSFET的文献是对超越CMOS器件的一项调查,这是后期新器件技术的热门话题。致摩尔
这项工作得到了国家自然科学基金青年和国家自然科学基金的支持,是一个禁止在该国主要地区获得重大支持的研究课题。
IEDM(国际电子器件会议)始于1955年,是国际微电子器件领域最重要的会议之一。它也是最重要的IEEE会议之一。他拥有权威学位,在国际微电子领域具有很大的影响力。它被称为微电子器件。
IEDM报告了研究的最新进展,主要是在国际微电子器件领域,以及该领域的研究成果。由于英特尔和IBM等国际知名公司的许多核心技术首次发布,全球领先的学术机构,大学和行业领导者可以报告最新的研究成果和技术进步。主窗口和平台。一旦进入IEDM,IEDM会议就是微电子设备国际领域的谷物。